TIL_250912

Today I learned

 

1. 데이터 분석 종합반(python) 2주차

 

1) Colab 시작하기

 

2. 커리어 스터디) 반도체

1) 대략적인 브레인스토밍

웨이퍼&칩	DRAM	Dynamic Random Acess Memory: 데이터를 저장하는 메모리, PC, 스마트폰 메모리에 사용
	NAND	NAND Flash Memory: 전원이 꺼져도 유지되는 플래시 메모리, SSD, USB 장치에 사용
	SoC	System on Chip: CPU, GPU, 메모리 등 여러 기능을 한 칩에 집적한 반도체, 스마트폰, IoT 기기에 사용
	MCU	Microcontroller Unit: 소형 프로세서+메모리+주변장치를 하나로 묶어 가전, 자동차, 센서 제어용으로 사용
패키징	CSP	Chip Scale Package: 칩 크기와 거의 비슷한 초소형 패키지 형태, 모바일 기기에서 주로 사용
	BGA	Ball Grid Array: 칩 아래 납땜 볼들이 격자 형태로 배열된 패키지, 메인보드에 주로 사용
	FC-BGA	Flip Chip Ball Grid Array: 칩을 거꾸로 붙이고, BGA 방식으로 기판과 연결한 패키지.
	TSV	Through Silicon Via: 실리콘 웨이퍼에 수직으로 구멍을 뚫어 전기적으로 연결하는 3D 적층 기술
	HBM	High Bandwidth Memory: TSV로 여러 DRAM 칩을 적층해 만든 초고속 메모리, AI 가속기, GPU에 많이 사용
소재/화학	PR	Photoresist: 빛에 반응해 패턴이 생기는 감광액, Photolithography 단계에서 필수적으로 사용
	Precursor	증착 공정에 사용되는 원료, 가스나 액체 상태로 반응해 박막 형성(Hexachlorodisilane)
	CMP	Chemical Mechanical Polishing: 웨이퍼 표면을 화학+기계적으로 평탄화
	Slurry	CMP에 쓰이는 연마액+화학약품 혼합액
	Etching Gas	식각 공정에서 사용되는 플라즈마 식각용 가스(CF4,SF6), 패턴 외 영역을 제거할 때 사용

공정명	설명	분석 및 분석 기법	통계 기법
웨이퍼 제조 공정	- Si, GaAS 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 얇게썬 원판	두께/평탄도 측정 표면 오염/파티클 (XPS) 외관 및 결함	SPC 관리도, Cpk
산화공정	- 웨이퍼에 절연 역할의 SiO2를 형성, 누설전류 차단 - 일반적으로 열산화법 사용	산화막 두께 측정 막 균일도 막 조성(FT-IR)	SPC 관리도
포토공정	- 웨이퍼 위에 회로 패턴이 담긴 마스크를 비춰 회로를 그림	PR 두께 노광 정렬(Overlay) CD 측정(Critical Demension, SEM 사용)	SPC 관리도 히스토그램 Cpk
식각공정	- 액체 또는 기체의 부식액을 이용해 불필요한 부분을 선택적으로 제거	식각 깊이, 균일도, 잔류 PR 검사	SPC 관리도
증착&이온주입 공정	-증착: 필요한 박막을 CVD, PVD LD 방식으로 증착 - 이온주입: 이온가속기의 불순물 도핑	박막 두께(XRR), 조성, 비저항 측정 이온 농도(SIMS), 주입 깊이, 저항값	CpK
금속배선공정	- 배선층(Al, Cu) 증착 및 패터닝을 통해 소자 간 전기적 연결	금속막 저항, 배선 폭/간격(SEM), Void 검사	ANOVA(두가지 이상의 다수 집단의 분산을 비교할 때 사용하는 F 분포)
EDS(Electrical Die sorting) 공정	- 패키징 전, 개별 칩들의 품질 수준을 평가	테스트 장비 calibration 접촉 상태 확인 수율 모니터링	SPC 관리도, pareto 차트
패키징 공정	- 웨이퍼 절단 - 칩 접착 - 금선 연결 - 몰딩	본딩 강도, 신뢰성 시험	SPC 관리도 Weibull 분포(수명 데이터 분석에 자주 사용)

 

- 반도체 직무에서의 데이터 분석 포인트

1. 수율, 공정 변동을 제어하는 목적의 데이터 분석이 주된 사항

2. 온도, 압력, 유량, 전류 같은 실시간 데이터 위주

3. 공정 최적화 중심의 통계적 분석

4. 공정의 SOP를 수정하거나 장비 maintenance, 수율 개선에 데이터를 활용

 

2) 발표 자료로 정리